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FQP4P40

FQP4P40

僅供參考

型號 FQP4P40
PNEDA編號 FQP4P40
描述 MOSFET P-CH 400V 3.5A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,152
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP4P40資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP4P40
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP4P40, FQP4P40數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,238.58 KB)
PDFFQP4P40數據表 封面
FQP4P40數據表 頁面 2 FQP4P40數據表 頁面 3 FQP4P40數據表 頁面 4 FQP4P40數據表 頁面 5 FQP4P40數據表 頁面 6 FQP4P40數據表 頁面 7 FQP4P40數據表 頁面 8 FQP4P40數據表 頁面 9 FQP4P40數據表 頁面 10

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FQP4P40規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.1Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds680pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)85W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A (Ta), 51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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系列

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FET類型

-

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2007pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A (Ta), 34.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

702pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta), 25.9W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

128mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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工作溫度

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