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FQP6N50

FQP6N50

僅供參考

型號 FQP6N50
PNEDA編號 FQP6N50
描述 MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP6N50資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP6N50
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP6N50, FQP6N50數據表 (總頁數: 8, 大小: 736.58 KB)
PDFFQP6N50數據表 封面
FQP6N50數據表 頁面 2 FQP6N50數據表 頁面 3 FQP6N50數據表 頁面 4 FQP6N50數據表 頁面 5 FQP6N50數據表 頁面 6 FQP6N50數據表 頁面 7 FQP6N50數據表 頁面 8

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FQP6N50規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.3Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds790pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)98W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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ON Semiconductor

系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252AA

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NP50P04SDG-E1-AY

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta), 84W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252 (MP-3ZK)

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

CPH6442-TL-W

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1040pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-CPH

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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制造商

ON Semiconductor

系列

QFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7Ohm @ 950mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

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