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FQPF27N25T

FQPF27N25T

僅供參考

型號 FQPF27N25T
PNEDA編號 FQPF27N25T
描述 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF27N25T資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF27N25T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF27N25T, FQPF27N25T數據表 (總頁數: 10, 大小: 554.29 KB)
PDFFQPF27N25T數據表 封面
FQPF27N25T數據表 頁面 2 FQPF27N25T數據表 頁面 3 FQPF27N25T數據表 頁面 4 FQPF27N25T數據表 頁面 5 FQPF27N25T數據表 頁面 6 FQPF27N25T數據表 頁面 7 FQPF27N25T數據表 頁面 8 FQPF27N25T數據表 頁面 9 FQPF27N25T數據表 頁面 10

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FQPF27N25T規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs65nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2450pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)55W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2790pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 73W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-PowerTDFN

BSC052N03LSATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta), 57A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-PowerTDFN

ATP404-H-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5470pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

64.7W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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