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FQPF2N80YDTU

FQPF2N80YDTU

僅供參考

型號 FQPF2N80YDTU
PNEDA編號 FQPF2N80YDTU
描述 MOSFET N-CH 800V TO-220-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF2N80YDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF2N80YDTU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF2N80YDTU, FQPF2N80YDTU數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,345.97 KB)
PDFFQPF2N80YDTU數據表 封面
FQPF2N80YDTU數據表 頁面 2 FQPF2N80YDTU數據表 頁面 3 FQPF2N80YDTU數據表 頁面 4 FQPF2N80YDTU數據表 頁面 5 FQPF2N80YDTU數據表 頁面 6 FQPF2N80YDTU數據表 頁面 7 FQPF2N80YDTU數據表 頁面 8 FQPF2N80YDTU數據表 頁面 9 FQPF2N80YDTU數據表 頁面 10

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FQPF2N80YDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.3Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds550pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

691pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1452pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-DFN (3x3)

包裝/箱

8-PowerVDFN

AOK20S60L

Alpha & Omega Semiconductor

制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

aMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

199mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1038pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

266W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

734pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 340µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

205nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14790pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

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