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FQPF4N90

FQPF4N90

僅供參考

型號 FQPF4N90
PNEDA編號 FQPF4N90
描述 MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF4N90資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF4N90
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF4N90, FQPF4N90數據表 (總頁數: 8, 大小: 622.84 KB)
PDFFQPF4N90數據表 封面
FQPF4N90數據表 頁面 2 FQPF4N90數據表 頁面 3 FQPF4N90數據表 頁面 4 FQPF4N90數據表 頁面 5 FQPF4N90數據表 頁面 6 FQPF4N90數據表 頁面 7 FQPF4N90數據表 頁面 8

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FQPF4N90規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)47W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

58W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO251-3

包裝/箱

TO-251-3 Stub Leads, IPak

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1054pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

880mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8930pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

595W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

214W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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