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FQPF5N90

FQPF5N90

僅供參考

型號 FQPF5N90
PNEDA編號 FQPF5N90
描述 MOSFET N-CH 900V 3A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 18,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF5N90資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF5N90
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF5N90, FQPF5N90數據表 (總頁數: 10, 大小: 549.48 KB)
PDFFQPF5N90數據表 封面
FQPF5N90數據表 頁面 2 FQPF5N90數據表 頁面 3 FQPF5N90數據表 頁面 4 FQPF5N90數據表 頁面 5 FQPF5N90數據表 頁面 6 FQPF5N90數據表 頁面 7 FQPF5N90數據表 頁面 8 FQPF5N90數據表 頁面 9 FQPF5N90數據表 頁面 10

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FQPF5N90規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1550pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)51W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

154mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 64A, 7V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

271pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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