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FQPF9N08L

FQPF9N08L

僅供參考

型號 FQPF9N08L
PNEDA編號 FQPF9N08L
描述 MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,654
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF9N08L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF9N08L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF9N08L, FQPF9N08L數據表 (總頁數: 8, 大小: 553.68 KB)
PDFFQPF9N08L數據表 封面
FQPF9N08L數據表 頁面 2 FQPF9N08L數據表 頁面 3 FQPF9N08L數據表 頁面 4 FQPF9N08L數據表 頁面 5 FQPF9N08L數據表 頁面 6 FQPF9N08L數據表 頁面 7 FQPF9N08L數據表 頁面 8

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FQPF9N08L規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs210mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.1nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds280pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)23W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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ON Semiconductor

制造商

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

210A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 76A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

209nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta), 102A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

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