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FQPF9N30

FQPF9N30

僅供參考

型號 FQPF9N30
PNEDA編號 FQPF9N30
描述 MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF9N30資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF9N30
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF9N30, FQPF9N30數據表 (總頁數: 8, 大小: 661.03 KB)
PDFFQPF9N30數據表 封面
FQPF9N30數據表 頁面 2 FQPF9N30數據表 頁面 3 FQPF9N30數據表 頁面 4 FQPF9N30數據表 頁面 5 FQPF9N30數據表 頁面 6 FQPF9N30數據表 頁面 7 FQPF9N30數據表 頁面 8

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FQPF9N30規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds740pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1851pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

460mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.58nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

59.76pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

270mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

370mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

620V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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功耗(最大值)

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