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FQU10N20LTU

FQU10N20LTU

僅供參考

型號 FQU10N20LTU
PNEDA編號 FQU10N20LTU
描述 MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQU10N20LTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQU10N20LTU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQU10N20LTU, FQU10N20LTU數據表 (總頁數: 9, 大小: 931.6 KB)
PDFFQU10N20LTU數據表 封面
FQU10N20LTU數據表 頁面 2 FQU10N20LTU數據表 頁面 3 FQU10N20LTU數據表 頁面 4 FQU10N20LTU數據表 頁面 5 FQU10N20LTU數據表 頁面 6 FQU10N20LTU數據表 頁面 7 FQU10N20LTU數據表 頁面 8 FQU10N20LTU數據表 頁面 9

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FQU10N20LTU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds830pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 51W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

67mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3090pF @ 400V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

312W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.85W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15600pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

330W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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功耗(最大值)

480W (Tc)

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