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FQU7P20TU

FQU7P20TU

僅供參考

型號 FQU7P20TU
PNEDA編號 FQU7P20TU
描述 MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQU7P20TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQU7P20TU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQU7P20TU, FQU7P20TU數據表 (總頁數: 9, 大小: 731.73 KB)
PDFFQU7P20TU_AM002數據表 封面
FQU7P20TU_AM002數據表 頁面 2 FQU7P20TU_AM002數據表 頁面 3 FQU7P20TU_AM002數據表 頁面 4 FQU7P20TU_AM002數據表 頁面 5 FQU7P20TU_AM002數據表 頁面 6 FQU7P20TU_AM002數據表 頁面 7 FQU7P20TU_AM002數據表 頁面 8 FQU7P20TU_AM002數據表 頁面 9

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FQU7P20TU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs690mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds770pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

117mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

97nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

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制造商

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系列

CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 3.2A, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 260µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

584pF @ 100V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

73W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1460pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DIRECTFET™ SQ

包裝/箱

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系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 37.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 214W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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