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FR12DR05

FR12DR05

僅供參考

型號 FR12DR05
PNEDA編號 FR12DR05
描述 DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FR12DR05資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FR12DR05
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FR12DR05, FR12DR05數據表 (總頁數: 3, 大小: 774.21 KB)
PDFFR12JR05數據表 封面
FR12JR05數據表 頁面 2 FR12JR05數據表 頁面 3

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FR12DR05規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)500ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.46V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

160ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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90V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 80V

電容@ Vr,F

3pF @ 0.5V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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1.15V @ 4A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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