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FS1GE-TP

FS1GE-TP

僅供參考

型號 FS1GE-TP
PNEDA編號 FS1GE-TP
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A SMAE
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS1GE-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS1GE-TP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FS1GE-TP, FS1GE-TP數據表 (總頁數: 4, 大小: 296.87 KB)
PDFFS1GE-TP數據表 封面
FS1GE-TP數據表 頁面 2 FS1GE-TP數據表 頁面 3 FS1GE-TP數據表 頁面 4

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FS1GE-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝SMAE
工作溫度-結點-50°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

800mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

6pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-220AA

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AB, MELF (Glass)

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