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FS200R07A5E3S6BPSA1

FS200R07A5E3S6BPSA1

僅供參考

型號 FS200R07A5E3S6BPSA1
PNEDA編號 FS200R07A5E3S6BPSA1
描述 HYBRID PACK LIGHT
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS200R07A5E3S6BPSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS200R07A5E3S6BPSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FS200R07A5E3S6BPSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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功率-最大

1000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

12.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

277W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

575W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

260A

功率-最大

1042W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 200A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

5µA

輸入電容(Cies)@ Vce

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