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FS45MR12W1M1B11BOMA1

FS45MR12W1M1B11BOMA1

僅供參考

型號 FS45MR12W1M1B11BOMA1
PNEDA編號 FS45MR12W1M1B11BOMA1
描述 MOSFET MODULE 1200V 50A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS45MR12W1M1B11BOMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS45MR12W1M1B11BOMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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FS45MR12W1M1B11BOMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Tj)
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs(th)(最大)@ ID5.55V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1840pF @ 800V
功率-最大20mW (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝AG-EASY1BM-2

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1975pF @ 20V

功率-最大

800mW

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

305pF @ 15V

功率-最大

2W

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5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

469pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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