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FS75R06KE3BOSA1

FS75R06KE3BOSA1

僅供參考

型號 FS75R06KE3BOSA1
PNEDA編號 FS75R06KE3BOSA1
描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS75R06KE3BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS75R06KE3BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FS75R06KE3BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce4.6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

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Yes

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1000A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 1000A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

220nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Powerex Inc.

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Powerex Inc.

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IGBTMOD™

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

1540W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

230nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Chassis Mount

包裝/箱

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APTGL475DA120D3G

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

610A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

24.6nF @ 25V

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Standard

NTC熱敏電阻

No

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