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FS75R12KS4BOSA1

FS75R12KS4BOSA1

僅供參考

型號 FS75R12KS4BOSA1
PNEDA編號 FS75R12KS4BOSA1
描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,416
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS75R12KS4BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS75R12KS4BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FS75R12KS4BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce5.1nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

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Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.15nF @ 25V

輸入

Standard

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Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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功率-最大

290W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

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No

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