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FT25H04T-RB

FT25H04T-RB

僅供參考

型號 FT25H04T-RB
PNEDA編號 FT25H04T-RB
描述 IC FLASH 4M SPI 120MHZ 8TSSOP
制造商 Fremont Micro Devices Ltd
單價 請求報價
庫存 860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FT25H04T-RB資源

品牌 Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FT25H04T-RB
類別半導體內存IC內存
數據表
FT25H04T-RB, FT25H04T-RB數據表 (總頁數: 32, 大小: 494.45 KB)
PDFFT25H04S-RT數據表 封面
FT25H04S-RT數據表 頁面 2 FT25H04S-RT數據表 頁面 3 FT25H04S-RT數據表 頁面 4 FT25H04S-RT數據表 頁面 5 FT25H04S-RT數據表 頁面 6 FT25H04S-RT數據表 頁面 7 FT25H04S-RT數據表 頁面 8 FT25H04S-RT數據表 頁面 9 FT25H04S-RT數據表 頁面 10 FT25H04S-RT數據表 頁面 11

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FT25H04T-RB規格

制造商Fremont Micro Devices Ltd
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率120MHz
寫周期-字,頁2ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

40ns

訪問時間

40ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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56-TSOP

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Cypress Semiconductor

制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

12Gb (384M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

2133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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