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FZT603QTA

FZT603QTA

僅供參考

型號 FZT603QTA
PNEDA編號 FZT603QTA
描述 PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FZT603QTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FZT603QTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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FZT603QTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-92-3

MMBT2369LT3G

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 350mV

功率-最大

225mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

270mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 1A, 2V

功率-最大

550mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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