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GA20JT12-247

GA20JT12-247

僅供參考

型號 GA20JT12-247
PNEDA編號 GA20JT12-247
描述 TRANS SJT 1.2KV 20A
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GA20JT12-247資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GA20JT12-247
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
GA20JT12-247, GA20JT12-247數據表 (總頁數: 12, 大小: 1,298.09 KB)
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GA20JT12-247規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
FET類型-
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 20A
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)282W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AB
包裝/箱TO-247-3

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GeneSiC Semiconductor

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

74mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

430pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 9.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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