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GATELEADWHBU445XXPSA1

GATELEADWHBU445XXPSA1

僅供參考

型號 GATELEADWHBU445XXPSA1
PNEDA編號 GATELEADWHBU445XXPSA1
描述 STD THYR/DIODEN DISC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GATELEADWHBU445XXPSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GATELEADWHBU445XXPSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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GATELEADWHBU445XXPSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型-
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度-
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 40V

電容@ Vr,F

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

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