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GB50SLT12-247

GB50SLT12-247

僅供參考

型號 GB50SLT12-247
PNEDA編號 GB50SLT12-247
描述 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,720
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 6 - 一月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GB50SLT12-247資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GB50SLT12-247
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GB50SLT12-247, GB50SLT12-247數據表 (總頁數: 7, 大小: 555.74 KB)
PDFGB50SLT12-247數據表 封面
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GB50SLT12-247規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)50A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 50A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 1200V
電容@ Vr,F2940pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247AC
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMAE)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 800V

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2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

175pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

55µA @ 60V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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