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GD25D10CKIGR

GD25D10CKIGR

僅供參考

型號 GD25D10CKIGR
PNEDA編號 GD25D10CKIGR
描述 1MBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45MM
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 28,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD25D10CKIGR資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD25D10CKIGR
類別半導體內存IC內存

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GD25D10CKIGR規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI - Dual I/O
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁50µs, 4ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-XFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-USON (1.5x1.5)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

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制造商

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

1Tb (128G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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