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GD25LD20CEIGR

GD25LD20CEIGR

僅供參考

型號 GD25LD20CEIGR
PNEDA編號 GD25LD20CEIGR
描述 NOR FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD25LD20CEIGR資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD25LD20CEIGR
類別半導體內存IC內存
數據表
GD25LD20CEIGR, GD25LD20CEIGR數據表 (總頁數: 28, 大小: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR數據表 封面
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GD25LD20CEIGR規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口SPI - Dual I/O
時鐘頻率50MHz
寫周期-字,頁97µs, 6ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-XFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-USON (2x3)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-VVSOP

AS4C4M32SA-6TCNTR

Alliance Memory, Inc.

制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

2ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

86-TSOP II

U6264BDK07LLG1

Alliance Memory, Inc.

制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

28-PDIP

71321LA25TF

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LQFP

供應商設備包裝

64-TQFP (10x10)

AT24HC02BN-SH-B

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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