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GD25LD40COIGR

GD25LD40COIGR

僅供參考

型號 GD25LD40COIGR
PNEDA編號 GD25LD40COIGR
描述 NOR FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD25LD40COIGR資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD25LD40COIGR
類別半導體內存IC內存
數據表
GD25LD40COIGR, GD25LD40COIGR數據表 (總頁數: 28, 大小: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR數據表 封面
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GD25LD40COIGR規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口SPI - Dual I/O
時鐘頻率50MHz
寫周期-字,頁97µs, 6ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II+

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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