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GDP30S120B

GDP30S120B

僅供參考

型號 GDP30S120B
PNEDA編號 GDP30S120B
描述 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GDP30S120B資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GDP30S120B
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GDP30S120B, GDP30S120B數據表 (總頁數: 3, 大小: 519.18 KB)
PDFGDP30S120B數據表 封面
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GDP30S120B規格

制造商Global Power Technologies Group
系列Amp+™
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)30A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 30A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F1790pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247-2
工作溫度-結點-55°C ~ 135°C

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1.25V @ 400mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 90V

電容@ Vr,F

35pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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