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GDP60Z120E

GDP60Z120E

僅供參考

型號 GDP60Z120E
PNEDA編號 GDP60Z120E
描述 DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GDP60Z120E資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GDP60Z120E
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GDP60Z120E, GDP60Z120E數據表 (總頁數: 3, 大小: 522.28 KB)
PDFGDP60Z120E數據表 封面
GDP60Z120E數據表 頁面 2 GDP60Z120E數據表 頁面 3

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GDP60Z120E規格

制造商Global Power Technologies Group
系列Amp+™
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)60A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 60A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F3581pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247-2
工作溫度-結點-55°C ~ 135°C

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1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 2400V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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