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GDZ4V7B-HE3-08

GDZ4V7B-HE3-08

僅供參考

型號 GDZ4V7B-HE3-08
PNEDA編號 GDZ4V7B-HE3-08
描述 DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,906
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GDZ4V7B-HE3-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GDZ4V7B-HE3-08
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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GDZ4V7B-HE3-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)4.7V
公差±2%
功率-最大200mW
阻抗(最大值)(閽zt)100 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±5%

功率-最大

150mW

阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 23V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

50W

阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 47.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-5

GDZ10B-HG3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

±2%

功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-76, SOD-323

供應商設備包裝

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

4.7V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 14.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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