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GDZ5V6B-HG3-08

GDZ5V6B-HG3-08

僅供參考

型號 GDZ5V6B-HG3-08
PNEDA編號 GDZ5V6B-HG3-08
描述 DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GDZ5V6B-HG3-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GDZ5V6B-HG3-08
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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GDZ5V6B-HG3-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)5.6V
公差±2%
功率-最大200mW
阻抗(最大值)(閽zt)60 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 2.5V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

3.3V

公差

±6%

功率-最大

225mW

阻抗(最大值)(閽zt)

95 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

BZD27C75PHRFG

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

74.5V

公差

±6.04%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 56V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

JANTXV1N4105-1

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/435

電壓-齊納(額定)(Vz)

11V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 8.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35 (DO-204AH)

1N6030D

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

180V

公差

±1%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

1.7 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 137V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

1N4567-1

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

*

電壓-齊納(額定)(Vz)

-

公差

-

功率-最大

-

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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