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GDZ9V1B-HG3-18

GDZ9V1B-HG3-18

僅供參考

型號 GDZ9V1B-HG3-18
PNEDA編號 GDZ9V1B-HG3-18
描述 DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GDZ9V1B-HG3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GDZ9V1B-HG3-18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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GDZ9V1B-HG3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)9.1V
公差±2%
功率-最大200mW
阻抗(最大值)(閽zt)30 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 6V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-76, SOD-323

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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公差

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功率-最大

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100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 12.92V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

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當前-反向泄漏@ Vr

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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