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GF1M-E3/5CA

GF1M-E3/5CA

僅供參考

型號 GF1M-E3/5CA
PNEDA編號 GF1M-E3-5CA
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GF1M-E3/5CA資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GF1M-E3/5CA
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GF1M-E3/5CA, GF1M-E3/5CA數據表 (總頁數: 4, 大小: 79.85 KB)
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GF1M-E3/5CA規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214BA
供應商設備包裝DO-214BA (GF1)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

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