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GI250-4HE3/54

GI250-4HE3/54

僅供參考

型號 GI250-4HE3/54
PNEDA編號 GI250-4HE3-54
描述 DIODE GEN PURP 4KV 250MA DO204
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GI250-4HE3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GI250-4HE3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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GI250-4HE3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)4000V
電流-平均整流(Io)250mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3.5V @ 250mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 4000V
電容@ Vr,F3pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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工作溫度-結點

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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5µA @ 1000V

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 70V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4.5ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 125V

電容@ Vr,F

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