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GI750-E3/73

GI750-E3/73

僅供參考

型號 GI750-E3/73
PNEDA編號 GI750-E3-73
描述 DIODE GEN PURP 50V 6A P600
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GI750-E3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GI750-E3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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GI750-E3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 6A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F150pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱P600, Axial
供應商設備包裝P600
工作溫度-結點-50°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

870mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-201AD

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 650V

電容@ Vr,F

414pF @ 0V, 1MHz

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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