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GI751-E3/73

GI751-E3/73

僅供參考

型號 GI751-E3/73
PNEDA編號 GI751-E3-73
描述 DIODE GEN PURP 100V 6A P600
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 18,162
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GI751-E3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GI751-E3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GI751-E3/73, GI751-E3/73數據表 (總頁數: 4, 大小: 78.19 KB)
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GI751-E3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 6A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F150pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱P600, Axial
供應商設備包裝P600
工作溫度-結點-50°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 15V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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