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GL41Y/1

GL41Y/1

僅供參考

型號 GL41Y/1
PNEDA編號 GL41Y-1
描述 DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GL41Y/1資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GL41Y/1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GL41Y/1, GL41Y/1數據表 (總頁數: 5, 大小: 81.28 KB)
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GL41Y/1規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1600V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AB, MELF (Glass)
供應商設備包裝DO-213AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 75A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

6.6pF @ 4V, 1MHz

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

230A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1600V

電容@ Vr,F

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