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GP10-4003HM3/73

GP10-4003HM3/73

僅供參考

型號 GP10-4003HM3/73
PNEDA編號 GP10-4003HM3-73
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 29 - 一月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP10-4003HM3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP10-4003HM3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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GP10-4003HM3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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960mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

117pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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DO-201AD

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

75pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-41

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

220V

電流-平均整流(Io)

1.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1.2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 220V

電容@ Vr,F

10pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

A, Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.09V @ 60A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247AC Modified

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

700mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.08V @ 700mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

780ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

5pF @ 4V, 1MHz

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