GP1M003A090C
僅供參考
型號 | GP1M003A090C |
PNEDA編號 | GP1M003A090C |
描述 | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK |
制造商 | Global Power Technologies Group |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 3,726 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸) |
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GP1M003A090C資源
品牌 | Global Power Technologies Group |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | GP1M003A090C |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-單 |
數據表 |
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GP1M003A090C規格
制造商 | Global Power Technologies Group |
系列 | - |
FET類型 | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 900V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 2.5A (Tc) |
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 5.1Ohm @ 1.25A, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 4V @ 250µA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±30V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 748pF @ 25V |
FET功能 | - |
功耗(最大值) | 94W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
供應商設備包裝 | D-Pak |
包裝/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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