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GP1M003A090C

GP1M003A090C

僅供參考

型號 GP1M003A090C
PNEDA編號 GP1M003A090C
描述 MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP1M003A090C資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP1M003A090C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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GP1M003A090C規格

制造商Global Power Technologies Group
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.1Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds748pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)94W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.57mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

296nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2191pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

91W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1670pF @ 400V

FET功能

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功耗(最大值)

156W (Tc)

工作溫度

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功耗(最大值)

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安裝類型

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供應商設備包裝

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