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GP1M006A070FH

GP1M006A070FH

僅供參考

型號 GP1M006A070FH
PNEDA編號 GP1M006A070FH
描述 MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP1M006A070FH資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP1M006A070FH
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
GP1M006A070FH, GP1M006A070FH數據表 (總頁數: 7, 大小: 722.95 KB)
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GP1M006A070FH規格

制造商Global Power Technologies Group
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.65Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)39W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta), 28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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安裝類型

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