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GP1M020A050N

GP1M020A050N

僅供參考

型號 GP1M020A050N
PNEDA編號 GP1M020A050N
描述 MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP1M020A050N資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP1M020A050N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
GP1M020A050N, GP1M020A050N數據表 (總頁數: 5, 大小: 559.22 KB)
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GP1M020A050N規格

制造商Global Power Technologies Group
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs54nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3094pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)312W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4965pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.1V @ 500µA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 1000V

FET功能

-

功耗(最大值)

78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.1mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 83µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4355pF @ 25V

FET功能

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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功耗(最大值)

130W (Tc)

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