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GP20J-E3/54

GP20J-E3/54

僅供參考

型號 GP20J-E3/54
PNEDA編號 GP20J-E3-54
描述 DIODE GEN PURP 600V 2A GP20
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP20J-E3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP20J-E3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GP20J-E3/54, GP20J-E3/54數據表 (總頁數: 4, 大小: 82.41 KB)
PDFGP20JHE3/54數據表 封面
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GP20J-E3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)5µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝GP20
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 7A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.6µs

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

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8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 430V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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500mA

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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