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GP30M-E3/54

GP30M-E3/54

僅供參考

型號 GP30M-E3/54
PNEDA編號 GP30M-E3-54
描述 DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 12,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP30M-E3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP30M-E3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GP30M-E3/54, GP30M-E3/54數據表 (總頁數: 4, 大小: 82.06 KB)
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GP30M-E3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)5µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 30V

電容@ Vr,F

40pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

SUPERECTIFIER®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.5V @ 250mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

3pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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