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GPA801 C0G

GPA801 C0G

僅供參考

型號 GPA801 C0G
PNEDA編號 GPA801-C0G
描述 DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GPA801 C0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GPA801 C0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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GPA801 C0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 8A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F50pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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400V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-41

工作溫度-結點

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

95ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-2

供應商設備包裝

TO-247AC Modified

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.16V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

32pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

30A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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600V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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