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GPAS1003 MNG

GPAS1003 MNG

僅供參考

型號 GPAS1003 MNG
PNEDA編號 GPAS1003-MNG
描述 DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GPAS1003 MNG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GPAS1003 MNG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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GPAS1003 MNG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 10A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F50pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

420mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 10V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2400V

電流-平均整流(Io)

1500A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 2400V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

90pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

ITO-220AB

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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