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GSD2004WS-HE3-18

GSD2004WS-HE3-18

僅供參考

型號 GSD2004WS-HE3-18
PNEDA編號 GSD2004WS-HE3-18
描述 DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD323
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GSD2004WS-HE3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GSD2004WS-HE3-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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GSD2004WS-HE3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)240V
電流-平均整流(Io)225mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 240V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2200V

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260A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 2200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 90V

電容@ Vr,F

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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