GT10J312(Q)
僅供參考
| 型號 | GT10J312(Q) |
| PNEDA編號 | GT10J312-Q |
| 描述 | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,830 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸) |
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GT10J312(Q)資源
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | GT10J312(Q) |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-單 |
| 數據表 |
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GT10J312(Q)規格
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列 | - |
| IGBT類型 | - |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 600V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 10A |
| 電流-集電極脈沖（Icm） | 20A |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| 功率-最大 | 60W |
| 開關能量 | - |
| 輸入類型 | Standard |
| 門禁費用 | - |
| 25°C時的Td（開/關） | 400ns/400ns |
| 測試條件 | 300V, 10A, 100Ohm, 15V |
| 反向恢復時間（trr） | 200ns |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供應商設備包裝 | TO-220SM |
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