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GT50J121(Q)

GT50J121(Q)

僅供參考

型號 GT50J121(Q)
PNEDA編號 GT50J121-Q
描述 IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GT50J121(Q)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GT50J121(Q)
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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GT50J121(Q)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 50A
功率-最大240W
開關能量1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)90ns/300ns
測試條件300V, 50A, 13Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PL
供應商設備包裝TO-3P(LH)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 25A

功率-最大

395W

開關能量

1.4mJ (on), 1.65mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

77W

開關能量

56µJ (on), 122µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19.5nC

25°C時的Td(開/關)

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工作溫度

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 15A

功率-最大

30W

開關能量

136µJ (on), 207µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

81nC

25°C時的Td(開/關)

24.5ns/118ns

測試條件

400V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

103ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 28A

功率-最大

250W

開關能量

2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

92nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/180ns

測試條件

960V, 28A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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