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H11A817BW

H11A817BW

僅供參考

型號 H11A817BW
PNEDA編號 H11A817BW
描述 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11A817BW資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11A817BW
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11A817BW, H11A817BW數據表 (總頁數: 9, 大小: 85.1 KB)
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H11A817BW規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)130% @ 5mA
電流傳輸比(最大值)260% @ 5mA
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)2.4µs, 2.4µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)70V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)200mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱4-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝4-DIP

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

15% @ 16mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

220ns, 350ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.7V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

130% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-30°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

-

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Photovoltaic, Linearized

電壓-輸出(最大值)

-

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

頻道數

1

電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

10% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 2µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.18V

電流-直流正向(If)(最大值)

100mA

Vce飽和度(最大值)

500mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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Lite-On Inc.

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頻道數

1

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

80% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

5µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

150mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.45V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

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