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H11AA814W

H11AA814W

僅供參考

型號 H11AA814W
PNEDA編號 H11AA814W
描述 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11AA814W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11AA814W
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11AA814W, H11AA814W數據表 (總頁數: 9, 大小: 85.1 KB)
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H11AA814W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)20% @ 1mA
電流傳輸比(最大值)300% @ 1mA
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)2.4µs, 2.4µs
輸入類型AC, DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)70V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)200mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱4-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝4-DIP

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5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

200% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-30°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.3V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

-

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

1µs, 1µs

輸入類型

DC

輸出類型

Photovoltaic, Linearized

電壓-輸出(最大值)

500mV

電流-輸出/通道

70µA (Typ)

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

19% @ 16mA

電流傳輸比(最大值)

60% @ 16mA

開啟/關閉時間(典型值)

500ns, 800ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.59V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

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