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H11B23SD

H11B23SD

僅供參考

型號 H11B23SD
PNEDA編號 H11B23SD
描述 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11B23SD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11B23SD
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11B23SD, H11B23SD數據表 (總頁數: 8, 大小: 158.7 KB)
PDFTIL113W數據表 封面
TIL113W數據表 頁面 2 TIL113W數據表 頁面 3 TIL113W數據表 頁面 4 TIL113W數據表 頁面 5 TIL113W數據表 頁面 6 TIL113W數據表 頁面 7 TIL113W數據表 頁面 8

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H11B23SD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)200% @ 1mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)25µs, 18µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)25V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)100mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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11µs, 11µs

上升/下降時間(典型值)

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輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

18V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.45V

電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

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600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 2.3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

200% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

30mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

30mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

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