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H11D2SD

H11D2SD

僅供參考

型號 H11D2SD
PNEDA編號 H11D2SD
描述 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $11.2604
100 ---------- $10.7326
250 ---------- $10.2048
500 ---------- $9.6769
750 ---------- $9.2371
1,000 ---------- $8.7972
庫存 8,599
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11D2SD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11D2SD
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11D2SD, H11D2SD數據表 (總頁數: 8, 大小: 376.2 KB)
PDFH11D4W數據表 封面
H11D4W數據表 頁面 2 H11D4W數據表 頁面 3 H11D4W數據表 頁面 4 H11D4W數據表 頁面 5 H11D4W數據表 頁面 6 H11D4W數據表 頁面 7 H11D4W數據表 頁面 8

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H11D2SD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)20% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 5µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)300V
電流-輸出/通道100mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.15V
電流-直流正向(If)(最大值)80mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

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電流傳輸比(最小值)

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-

開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

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輸入類型

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電壓-輸出(最大值)

20V

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電壓-正向(Vf)(典型值)

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10mA

Vce飽和度(最大值)

110mV

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電流傳輸比(最小值)

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1000% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

5µs, 150µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V

電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

-

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

80% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 2.3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

100V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-隔離

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電流傳輸比(最小值)

250% @ 1mA

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