H11F1TVM
僅供參考
| 型號 | H11F1TVM |
| PNEDA編號 | H11F1TVM |
| 描述 | OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 16,836 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸) |
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H11F1TVM資源
| 品牌 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | H11F1TVM |
| 類別 | 半導體 › 隔離器 › 光電隔離器-晶體管，光伏輸出 |
| 數據表 |
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H11F1TVM規格
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 系列 | - |
| 頻道數 | 1 |
| 電壓-隔離 | 7500Vpk |
| 電流傳輸比（最小值） | - |
| 電流傳輸比（最大值） | - |
| 開啟/關閉時間（典型值） | 45µs, 45µs (Max) |
| 上升/下降時間（典型值） | - |
| 輸入類型 | DC |
| 輸出類型 | MOSFET |
| 電壓-輸出（最大值） | 30V |
| 電流-輸出/通道 | - |
| 電壓-正向（Vf）（典型值） | 1.3V |
| 電流-直流正向（If）（最大值） | 60mA |
| Vce飽和度（最大值） | - |
| 工作溫度 | -40°C ~ 100°C |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包裝/箱 | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| 供應商設備包裝 | 6-DIP |
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